三星電子擬于明年將HBM月產(chǎn)能擴大50%，劍指英偉達HBM4訂單

在全球人工智能（AI）競賽持續(xù)升溫的背景下，存儲巨頭三星電子做出最終決策，計劃在2026年底前將HBM月產(chǎn)能大幅提升約50%，核心目標是為英偉達下一代產(chǎn)品“HBM4”的供應鋪平道路，并爭奪其核心客戶訂單。

據(jù)報道，三星電子計劃到2026年末，將HBM月產(chǎn)能提升至25萬片晶圓（以12英寸晶圓計算），相較于目前約每月17萬片的產(chǎn)能，增幅高達約47%。為實現(xiàn)這一目標，三星的投資將通過兩條路徑推進：一是將現(xiàn)有的DRAM生產(chǎn)線轉換為HBM產(chǎn)線；二是在平澤P4工廠擴建新的專用生產(chǎn)線。半導體設備行業(yè)預計，相關核心設備采購與安裝工作最早可能于2026年1月啟動。

對于三星自身的業(yè)務構成而言，HBM的戰(zhàn)略地位日益凸顯。但對于擴產(chǎn)計劃，三星官方保持謹慎態(tài)度，一位三星電子發(fā)言人表示，公司“正在評估各種方案以應對快速增長的HBM需求”，但拒絕對具體計劃予以確認。

此次擴產(chǎn)背后，是三星在HBM市場面臨的緊迫局面與重大機遇。2025年10月，英偉達正式確認將在其產(chǎn)品中采用三星的HBM4，該內(nèi)存是計劃于2026年下半年發(fā)布的英偉達下一代AI芯片“Rubin”的標配。有消息稱，三星的HBM4在Rubin的測試芯片中表現(xiàn)優(yōu)異，獲得了積極評價。與此同時，全球AI投資熱潮持續(xù)推高對HBM的巨量需求，市場前景極為明朗。在此背景下，三星選擇提前且激進地擴張產(chǎn)能，旨在確保未來HBM4的供應能力，從而在爭奪英偉達訂單的競爭中占據(jù)主動。有行業(yè)關系人士明確指出，三星電子的此次HBM投資集中在HBM4上。