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              ASML新一代High-NA EUV光刻機(jī)達(dá)量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),單臺(tái)造價(jià)4億美元

              2026-02-27 來源:電子工程專輯
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              關(guān)鍵詞: ASML High-NA EUV光刻機(jī) 量產(chǎn)條件

              據(jù)路透社報(bào)道,荷蘭光刻巨頭ASML透露,該公司研發(fā)的新一代高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)(High-NA EUV)已具備廠商大規(guī)模量產(chǎn)使用的條件。

              作為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中最關(guān)鍵的“瓶頸”環(huán)節(jié),ASML是唯一能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的廠商,其技術(shù)壁壘極高,涉及光學(xué)、精密機(jī)械、材料科學(xué)等多個(gè)頂尖學(xué)科的融合。在High-NA EUV領(lǐng)域,這種壟斷優(yōu)勢(shì)更是達(dá)到了極致——目前全球沒有任何其他企業(yè)能夠提供同類商用設(shè)備。

              ASML首席技術(shù)官馬爾科·皮特斯(Marco Pieters)在采訪中披露了關(guān)鍵數(shù)據(jù):這款名為High-NA EUV的新設(shè)備已累計(jì)加工完成約50萬片餐盤大小的硅晶圓。在這一過程中,設(shè)備的停機(jī)時(shí)間大幅減少,稼動(dòng)率(設(shè)備利用率)已達(dá)到約80%,公司計(jì)劃在今年年底前將這一指標(biāo)提升至90%。更為重要的是,設(shè)備刻制出的芯片電路圖案精度已完全達(dá)到量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

              皮特斯表示:“芯片制造商已掌握相關(guān)技術(shù),具備完成該設(shè)備量產(chǎn)認(rèn)證的能力。”盡管設(shè)備在技術(shù)上已實(shí)現(xiàn)就緒,但他也指出,芯片企業(yè)仍需耗時(shí)2至3年開展充分的測(cè)試與研發(fā),才能將其完全整合至自身的量產(chǎn)流程中。從試產(chǎn)驗(yàn)證周期來看,目前行業(yè)已到達(dá)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

              作為全球唯一商用極紫外光刻機(jī)(EUV)的供應(yīng)商,ASML的新一代設(shè)備不僅性能強(qiáng)勁,價(jià)格也同樣令人咋舌。據(jù)悉,這款High-NA EUV光刻機(jī)的單臺(tái)成本約為4億美元(約合27.41億元人民幣),是初代EUV光刻機(jī)價(jià)格的兩倍。

              當(dāng)前一代EUV光刻機(jī)在制造復(fù)雜人工智能芯片方面已逐漸接近技術(shù)極限,而High-NA EUV通過更高的數(shù)值孔徑,能夠省去芯片制造流程中數(shù)個(gè)高成本、高復(fù)雜度的工序。這將助力臺(tái)積電、英特爾等頭部芯片企業(yè)制造出性能更強(qiáng)勁、能效更優(yōu)異的下一代芯片,滿足市場(chǎng)對(duì)AI算力激增的需求。