三星電子擴大氮化鎵代工，8英寸產線二季度量產

3月20消息，據業內人士透露，三星計劃于今年第二季度正式啟動其8英寸（200毫米）氮化鎵功率半導體代工生產線的全面量產。

盡管三星方面表示無法確認運營細節，但多方消息源證實，該公司已成功鎖定至少一家核心客戶。不過，受限于初期客戶基礎相對單薄，業內預計三星氮化鎵晶圓代工業務今年的收入規模將低于1000億韓元。

與傳統的純代工模式不同，三星此次采取了極具競爭力的“全套服務”策略。其產品線定位為不含芯片設計的全流程制造服務，旨在通過提高附加值來增強盈利能力。更為關鍵的是，三星實現了核心材料的自主可控。

氮化鎵半導體依賴于由鎵和氮組成的特殊外延晶圓，雖然在試生產階段三星曾依賴外部采購，但目前公司已成功開發出可用于量產的自研外延晶圓。這種從晶圓制造到封裝測試的垂直整合能力，不僅降低了生產成本，更確保了供應鏈的穩定性。

相比之下，三星競爭對手德高集團（DB HiTek）雖然也提供晶圓和代工服務，但其封裝環節仍需外包，且預計量產時間將推遲至今年下半年，比三星晚一到兩個季度。另一家潛在競爭者SK Keyfoundry雖已瞄準該市場，但短期內尚無量產計劃。

三星之所以不惜重金押注氮化鎵，源于其卓越的物理性能優勢。功率半導體按材料主要分為硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。后兩者被稱為“寬禁帶半導體”，相比傳統硅材料，它們擁有更寬的能帶隙，這意味著在高電壓環境下具有更優異的電流阻隔能力和更高的能量轉換效率。

具體而言，氮化鎵器件在高壓運行和快速開關頻率方面表現尤為出色。這一特性使其能夠實現極高的功率密度，即在更小的體積內處理更大的功率，同時顯著降低發熱量。對于消費電子領域，這意味著智能手機充電器可以做得更小、更輕且充電速度更快；對于電動汽車，GaN技術則廣泛應用于車載充電機（OBC）和直流快充站，大幅縮短充電時間并提升能效。

更為重要的是，氮化鎵正在成為人工智能（AI）基礎設施的關鍵組件。隨著英偉達（NVIDIA）等巨頭大力推廣800伏直流（DC）電源架構，數據中心內部需要將高壓直流電高效轉換為芯片所需的低電壓。基于氮化鎵的轉換器憑借其高頻開關特性，成為這一過程中的理想選擇，能夠顯著提升服務器電源的轉換效率，降低數據中心的整體能耗和散熱成本。

消息人士透露，三星的野心不止于氮化鎵。公司預計今年還將推出碳化硅（SiC）功率半導體代工生產線。與主要面向1200伏以下應用的氮化鎵不同，碳化硅更適用于1200至1700伏的高壓場景，如電動汽車的主驅動逆變器。針對這一市場，三星計劃提供從設計、制造到封裝的“交鑰匙”全套服務，以滿足車規級客戶對可靠性和集成度的嚴苛要求。