臺(tái)積電產(chǎn)能吃緊 三星得州2nm廠加速布局

由于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的產(chǎn)能極度緊繃，韓國半導(dǎo)體大廠三星電子加速擴(kuò)大在美代工布局。 據(jù)得州泰勒市議會(huì)文件，其位于當(dāng)?shù)氐陌雽?dǎo)體園區(qū)第二座晶圓廠（Fab 2）已進(jìn)入監(jiān)管審查與前期籌備階段，顯示三星正強(qiáng)化北美生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，戰(zhàn)略布局邁入新階段。

泰勒市議會(huì)日前無異議全票通過修正案，延長(zhǎng)與美國HDR工程公司的合作合約，確保市政府能持續(xù)為三星第二座晶圓廠，提供開發(fā)許可與建筑規(guī)范審查等關(guān)鍵支持。 HDR 工程公司將負(fù)責(zé)監(jiān)督設(shè)計(jì)圖則審查及協(xié)助核發(fā)建筑許可，一旦相關(guān)法律程序完備，F(xiàn)ab 2 的主體工程將立即破土動(dòng)工。

這座規(guī)劃中的廠房占地面積高達(dá)270萬平方英尺，規(guī)模與建設(shè)中的第一座廠房（Fab 1）相當(dāng)，反映出三星對(duì)市場(chǎng)需求的強(qiáng)大信心。

三星在泰勒市的投資計(jì)劃已展現(xiàn)出龐大的規(guī)模與潛力。 該園區(qū)總面積廣達(dá)1,268英畝，長(zhǎng)期規(guī)劃最高可容納多達(dá)10座先進(jìn)晶圓廠。 目前，三星已將總投資額上調(diào)至370億美元，其中包括來自美國《芯片與科學(xué)法案》約47.5億美元的官方補(bǔ)貼。

技術(shù)方面，園區(qū)將聚焦于高性能計(jì)算（HPC）與車用電子，全面導(dǎo)入三星最尖端的2nm（2-nanometer）制程技術(shù)，目前已成功鎖定包括Google、AMD在內(nèi)的多達(dá)121家潛在客戶。

此外，正處于緊密籌備階段的第一座廠房（Fab 1）預(yù)計(jì)于2027年啟動(dòng)量產(chǎn)。 此量產(chǎn)時(shí)程與三星、特斯拉（Tesla）價(jià)值 165 億美元的戰(zhàn)略合作緊密連結(jié)，該廠將專門生產(chǎn)特斯拉新一代 AI5 與 AI6 芯片。

隨著馬斯克預(yù)告AI5芯片將于2027年年中量產(chǎn)，三星得州園區(qū)將成為支撐未來AI運(yùn)算力與電動(dòng)車科技演進(jìn)的重要戰(zhàn)略核心。