三星計(jì)劃5月向英偉達(dá)交付HBM4E芯片樣品

三星電子計(jì)劃最早于5月生產(chǎn)出其下一代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E的首批樣品，并在內(nèi)部驗(yàn)證后將芯片交付給英偉達(dá)。

該公司正在加速開發(fā)其第七代HBM產(chǎn)品，以保持在快速增長(zhǎng)的人工智能（AI）內(nèi)存市場(chǎng)的強(qiáng)勁勢(shì)頭。三星計(jì)劃在向客戶交付樣品之前，先完成達(dá)到預(yù)期性能水平的首批樣品。

三星晶圓代工部門預(yù)計(jì)將于5月中旬生產(chǎn)出HBM4E的邏輯芯片樣品。這些組件隨后將被轉(zhuǎn)移到內(nèi)存部門，與DRAM封裝。完成的樣品將在交付給英偉達(dá)之前進(jìn)行內(nèi)部性能評(píng)估。

三星此前曾在3月GTC 2026大會(huì)上展示了HBM4E芯片的實(shí)物。然而，業(yè)內(nèi)人士普遍認(rèn)為該芯片更像是演示樣品，而非符合商業(yè)性能要求的產(chǎn)品。該芯片預(yù)計(jì)每引腳傳輸速度可達(dá)16Gbps，帶寬可達(dá)4.0TB/s，較HBM4有所提升。

三星正力圖鞏固其在HBM4量產(chǎn)領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢(shì)，并采用比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更先進(jìn)的工藝技術(shù)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星預(yù)計(jì)將采用4nm制程工藝制造邏輯芯片，并采用10nm(1c級(jí))DRAM 芯片。

競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士也在加速HBM4E的研發(fā)，計(jì)劃采用更先進(jìn)的DRAM和邏輯芯片工藝。

英偉達(dá)Vera Rubin AI平臺(tái)（將使用HBM4和HBM4E）的生產(chǎn)計(jì)劃已經(jīng)進(jìn)行一些調(diào)整，但三星正在加緊推進(jìn)，以避免在HBM3E市場(chǎng)重蹈覆轍。（校對(duì)/趙月）