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              SK海力士發(fā)布2026財年第一季度財務(wù)報告
              
                
                
              
                    
              
                        2026-04-23
                        來源：電子工程專輯
                                                
                    
              
                    
              
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                                                            SK海力士
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              • 營業(yè)收入為52.5763萬億韓元，營業(yè)利潤為37.6103萬億韓元，凈利潤為40.3459萬億韓元
              • AI需求持續(xù)強(qiáng)勁，高附加值產(chǎn)品銷售擴(kuò)大，創(chuàng)下單季度歷史最高業(yè)績
              • 邁向代理式AI時代，DRAM和NAND閃存需求全方位增長，將以新產(chǎn)品進(jìn)行前瞻性應(yīng)對
              • “將通過基于需求可見性的投資，同時確保供應(yīng)穩(wěn)定性和財務(wù)健全性”
              韓國首爾，2026年4月23日 – SK海力士（簡稱‘公司’，https://www.skhynix.com）今日發(fā)布截至2026年3月31日的2026財年第一季度財務(wù)報告。公司2026財年第一季度營業(yè)收入為52.5763萬億韓元，營業(yè)利潤為37.6103萬億韓元，凈利潤為40.3459萬億韓元。2026財年第一季度營業(yè)利潤率為72%，凈利潤率為77%。(K-IFRS為準(zhǔn))
              從季度業(yè)績來看，銷售額首次突破50萬億韓元大關(guān)，營業(yè)利潤為37.6萬億韓元，營業(yè)利潤率達(dá)到72%，創(chuàng)下公司成立以來的最高紀(jì)錄。營業(yè)利潤環(huán)比激增約兩倍，顯著展現(xiàn)了盈利能力的強(qiáng)勁改善趨勢。
              * 注：2025年第四季度銷售額為32.8267萬億韓元，營業(yè)利潤為19.1696萬億韓元
              SK海力士表示：“盡管第一季度通常是季節(jié)性淡季，但在人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施投資擴(kuò)大的推動下，市場需求持續(xù)強(qiáng)勁。公司通過擴(kuò)大高帶寬存儲器（HBM）、大容量服務(wù)器DRAM模塊、企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）等高附加值產(chǎn)品的銷售，延續(xù)了業(yè)績上升勢頭?！?/span>
              受此優(yōu)異業(yè)績推動，截至第一季度末，公司現(xiàn)金及現(xiàn)金等價物環(huán)比增加19.4萬億韓元，達(dá)到54.3萬億韓元。與此同時，借款額減少2.9萬億韓元，降至19.3萬億韓元，實(shí)現(xiàn)了35萬億韓元的凈現(xiàn)金頭寸。
              公司分析指出，隨著人工智能從以“大型模型訓(xùn)練”為中心，進(jìn)化為在各種服務(wù)環(huán)境中反復(fù)進(jìn)行實(shí)時推理的“代理式人工智能（Agentic AI）”階段，存儲器需求的基礎(chǔ)正擴(kuò)展至DRAM和NAND閃存所有領(lǐng)域。
              SK海力士預(yù)測，存儲效率化技術(shù)的擴(kuò)散將提高人工智能服務(wù)的經(jīng)濟(jì)性，進(jìn)而推動整體服務(wù)規(guī)模的擴(kuò)大，這將進(jìn)一步拉動存儲器需求?；诖?，公司預(yù)計DRAM和NAND閃存市場均將維持有利的價格環(huán)境。
              SK海力士明確了其將在DRAM和NAND閃存全領(lǐng)域持續(xù)推進(jìn)新產(chǎn)品開發(fā)與供應(yīng)的戰(zhàn)略方針，以靈活應(yīng)對多樣化的存儲器需求。
              在HBM方面，公司將進(jìn)一步加強(qiáng)整合性能、良率、質(zhì)量及供應(yīng)穩(wěn)定性的綜合執(zhí)行能力。并且在DRAM方面，公司將全面啟動全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的LPDDR6 DRAM，以及基于同一工藝并于本月開始量產(chǎn)的192GB SOCAMM2的供應(yīng)。
              在NAND閃存方面，公司開始供應(yīng)基于CTF*且采用321層QLC**技術(shù)的客戶端固態(tài)硬盤（cSSD）“PQC21”的同時，將通過在eSSD的全領(lǐng)域構(gòu)建涵蓋高性能TLC和大容量QLC的產(chǎn)品陣容，靈活應(yīng)對人工智能領(lǐng)域的整體需求。此外，公司將依托在大容量QLC eSSD領(lǐng)域擁有優(yōu)勢的Solidigm產(chǎn)生的協(xié)同效應(yīng)，進(jìn)一步加強(qiáng)在AI數(shù)據(jù)中心和AI PC存儲器市場的競爭力。
              * CTF（電荷捕獲型技術(shù)，Charge Trap Flash）：與將電荷存儲在導(dǎo)體中的浮柵（Floating Gate）技術(shù)不同，該技術(shù)將電荷存儲在絕緣體中，解決了單元間干擾問題。其特點(diǎn)是相比浮柵技術(shù)，不僅能夠減小單位單元面積，還能提高讀寫性能。
              ** NAND閃存芯片根據(jù)每個單元（Cell）可以存儲的信息量（比特,bit），分為SLC（Single level Cell,1位）、MLC（Multi Level Cell,2位）、TLC（Triple Level Cell,3位）、QLC（Quadruple Level Cell,4位）、PLC（Penta Level Cell,5位）等不同規(guī)格。信息存儲量越大，相同面積內(nèi)可存儲的數(shù)據(jù)越多。
              另一方面，SK海力士強(qiáng)調(diào)，在客戶需求持續(xù)超過供應(yīng)能力的環(huán)境下，能夠應(yīng)對AI時代需求結(jié)構(gòu)性增長的供應(yīng)能力已成為核心競爭優(yōu)勢。
              對此，公司表示將以韓國清州M15X產(chǎn)能爬坡和龍仁集群為核心，推進(jìn)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)及EUV等核心設(shè)備引進(jìn)，為此今年的投資規(guī)模將同比大幅增加。
              SK海力士表示：“公司將戰(zhàn)略性地擴(kuò)充生產(chǎn)基礎(chǔ)，以先發(fā)應(yīng)對中長期需求增長。也將通過基于需求可見性的投資，同時確保供應(yīng)穩(wěn)定性和財務(wù)穩(wěn)健性。”