BSS306NH6327-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/5A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/28mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 該N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用緊湊型SOT-23封裝，專為30V電壓下高效能、中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。具備5A連續(xù)電流處理能力，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)及便攜式設(shè)備的功率管理模塊，提供低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的散熱性能，是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的理想集成組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

BSS306NH6327-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/5A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/28mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/5A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/28mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢