AOD4185_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/40V 參數(shù)3：電流ID/40A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/19mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 本款消費(fèi)級(jí)P溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，額定電壓40V，具有強(qiáng)大40A電流處理能力。專為中低壓、大電流應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)，適用于各類消費(fèi)電子產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)卓越的電源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性，是優(yōu)化電路性能的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

AOD4185_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/40V 參數(shù)3：電流ID/40A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/19mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/40V 參數(shù)3：電流ID/40A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/19mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢