MJD122-HXY_TO-252_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：晶體管類型: NPN 參數(shù)2：集電極電流(Ic): 8A 參數(shù)3：集射極擊穿電壓(Vceo): 100V 參數(shù)4：功率(Pd): 1.5W 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款NPN型達(dá)林頓雙極功率晶體管采用TO-252-2L封裝，特別適用于通用放大器構(gòu)建與低速開關(guān)應(yīng)用。其擁有100V的最高集射極擊穿電壓（Vceo）和高達(dá)8A的連續(xù)集電極電流（Ic），具備出色的功率耗散能力為1.5W。器件在工作狀態(tài)下表現(xiàn)出色，飽和電壓VCE(sat)僅4V@8A/80mA，并提供寬泛的直流電流增益范圍，在4A集電極電流及4V集射極電壓下，hFE介于1000至12000之間。此外，該晶體管具有超低的反向飽和電流Icbo為10uA，確保了更高的電路穩(wěn)定性和更低功耗。卓越性能使其成為高效率、大電流控制的理想解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MJD122-HXY_TO-252_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：晶體管類型: NPN 參數(shù)2：集電極電流(Ic): 8A 參數(shù)3：集射極擊穿電壓(Vceo): 100V 參數(shù)4：功率(Pd): 1.5W 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：晶體管類型: NPN 參數(shù)2：集電極電流(Ic): 8A 參數(shù)3：集射極擊穿電壓(Vceo): 100V 參數(shù)4：功率(Pd): 1.5W 標(biāo)價：歡迎咨詢