FQD50N06-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/50A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/15mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 本款消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-252-2L封裝，是一款高規(guī)格N溝道半導(dǎo)體器件，具有60V的工作電壓和強(qiáng)大50A電流處理能力。專為各類電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，以卓越的能效表現(xiàn)與穩(wěn)定性，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高性能MOSFET的需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

FQD50N06-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/50A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/15mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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