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IPD25DP06NM-HXY_TO-252_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/10A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/140mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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描述: 這款TO-252-2L封裝的P溝道消費(fèi)級MOSFET，專為中等電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具有60V額定電壓和10A連續(xù)電流處理能力，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)以及電池管理系統(tǒng)等場合，提供出色的導(dǎo)通性能與低損耗特性，是現(xiàn)代電子設(shè)備高效能功率管理的理想解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD25DP06NM-HXY_TO-252_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/10A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/140mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/10A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/140mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢