IPD40DP06NMATMA1-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/10A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/140mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款TO-252-2L封裝的P溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET，專為中等電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓60V，連續(xù)電流承載能力高達(dá)10A，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和優(yōu)越熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備高效能功率控制的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

IPD40DP06NMATMA1-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/10A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/140mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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