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              UMH3N_SOT-363_數(shù)字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-363 類別:數(shù)字晶體管 最小包裝:3000圓盤 參數(shù)1:晶體管類型: NPN+NPN 參數(shù)2:集射極擊穿電壓(Vceo): 50V 參數(shù)3:集電極電流(Ic): 100mA 參數(shù)4:功率(Pd): 150mW 標(biāo)價:歡迎咨詢

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              描述: 這款數(shù)字晶體管采用先進(jìn)的SOT-363封裝,內(nèi)置一對互補(bǔ)NPN型晶體管。器件提供50V的集射極擊穿電壓(Vceo)及0.1A的最大集電極電流(Ic),功率耗散能力為150mW。其卓越的低飽和電壓特性,在5mA集電極電流和0.25mA基極電流時,VCE(sat)僅為300mV,同時擁有出色的直流電流增益,hFE在1mA/5V條件下范圍達(dá)100至600。此外,該晶體管具有高達(dá)250MHz的截止頻率(fT),確保高速開關(guān)性能。適用于各類低功耗、高速數(shù)字電路設(shè)計(jì),如邏輯門電路、信號放大器等應(yīng)用場合,以其小巧體積與優(yōu)越電氣性能滿足現(xiàn)代電子設(shè)備精細(xì)化需求。

              企業(yè)聯(lián)系方式
              • 深圳市華軒陽電子有限公司
              • 高新企業(yè)

              • 聯(lián) 系 人:張婉儀
              • 聯(lián)系電話:18929373249
              • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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