KBP410_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 此款半導體器件是一款高性能整流橋，采用先進的封裝技術——KBP封裝，體積小巧，熱性能優良。其主要規格包括VR高達1000V，能有效抵抗高電壓沖擊，保證設備穩定運行；VF低至1.1V@4A，意味著在4A的工作電流下，壓降極小，功率損耗低，節能效果顯著；額定輸出電流IO為4A，提供強大而穩定的電力轉換能力。本產品是各類高端電源系統、逆變器等電子設備的理想選擇，助力提升系統效率及可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBP410_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 4A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 150A 標價：歡迎咨詢