KBP310_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 3A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 80A 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款半導體器件是一款采用KBP封裝技術的整流橋，專為高效率、低損耗應用設計。其關鍵性能指標包括VR高達1000V，能有效應對嚴苛的電壓環(huán)境，確保設備安全穩(wěn)定；VF表現(xiàn)為1.1V@3A，意味著在3A的工作電流下，其壓降極低，顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率；額定工作電流IO為3A，提供持久穩(wěn)定的電力傳輸能力。適用于各類要求嚴苛的電源系統(tǒng)、逆變器等電子設備，是提升系統(tǒng)效能和可靠性的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBP310_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 3A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 80A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 3A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 80A 標價：歡迎咨詢