KBP206_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款采用KBP封裝的高效整流橋器件，專為600V電壓等級及中小電流應用量身打造。其具備卓越的耐壓性能，在600V反向電壓下穩定運行，確保系統可靠性。在2A的工作電流下，正向電壓降控制在1.1V以內，實現低功耗與高效率的電力轉換。器件的最大連續輸出電流為2A，適用于電源適配器、小型電機驅動及各類電子設備內部整流環節。選擇本款KBP封裝整流橋，將助力您的產品實現更優能效比和長期穩定的電路性能。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBP206_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢