KBP206_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 2A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款采用KBP封裝的高效整流橋器件，專為600V電壓等級及中小電流應(yīng)用量身打造。其具備卓越的耐壓性能，在600V反向電壓下穩(wěn)定運行，確保系統(tǒng)可靠性。在2A的工作電流下，正向電壓降控制在1.1V以內(nèi)，實現(xiàn)低功耗與高效率的電力轉(zhuǎn)換。器件的最大連續(xù)輸出電流為2A，適用于電源適配器、小型電機驅(qū)動及各類電子設(shè)備內(nèi)部整流環(huán)節(jié)。選擇本款KBP封裝整流橋，將助力您的產(chǎn)品實現(xiàn)更優(yōu)能效比和長期穩(wěn)定的電路性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBP206_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 2A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 2A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標(biāo)價：歡迎咨詢