KBP210_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 2A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款半導體器件是一款采用緊湊型KBP封裝的高品質(zhì)整流橋，適用于高效、低能耗的應用場景。其核心特性包括VR最高耐壓1000V，保證在高壓環(huán)境下穩(wěn)定可靠運行；VF值為1.1V@2A，意味著當電流達到2A時，器件壓降僅1.1V，顯著降低功耗，提升能效表現(xiàn)；額定電流IO為2A，確保持續(xù)穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換能力。此款整流橋廣泛應用于各類電源系統(tǒng)、逆變器等電子設備中，助力提高整體系統(tǒng)的性能與穩(wěn)定性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBP210_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 2A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 2A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢