KBP210_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 這款半導體器件是一款采用緊湊型KBP封裝的高品質整流橋，適用于高效、低能耗的應用場景。其核心特性包括VR最高耐壓1000V，保證在高壓環境下穩定可靠運行；VF值為1.1V@2A，意味著當電流達到2A時，器件壓降僅1.1V，顯著降低功耗，提升能效表現；額定電流IO為2A，確保持續穩定的電力轉換能力。此款整流橋廣泛應用于各類電源系統、逆變器等電子設備中，助力提高整體系統的性能與穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBP210_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@2A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 2A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 60A 標價：歡迎咨詢