KBU810_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 180A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款采用KBU封裝的高端整流橋器件，特別為1000V高電壓、大電流應用環境設計。在確保卓越電氣性能的同時，能承受高達1000V的反向電壓，保證系統穩定可靠運行。在8A的工作電流下，其正向電壓降僅為1.1V，優化了電力轉換效率，有效減少能源損耗。此外，該器件具有出色的連續輸出能力，最大可承載8A電流，是各類高性能電源供應器、電機驅動的理想選擇。選擇本款整流橋將助力您的設備實現更高能效和更優穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBU810_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋 最小包裝：400盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 180A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 180A 標價：歡迎咨詢