KBU610_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 250A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 這款KBU封裝的高品質整流橋器件，專為1000V高電壓環境和大電流應用設計。憑借出色的耐壓性能，可承受高達1000V的反向電壓，確保系統穩定高效運行。在6A的工作電流下，其正向電壓降低至1.1V，有效降低功耗并提升電力轉換效率。此外，該器件具有卓越的電流承載能力，最大連續輸出電流可達6A，適用于各類中大功率電源、電機驅動等領域。選擇此款整流橋，您的設備將實現更高能效與更佳穩定性表現。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBU610_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋 最小包裝：400盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 250A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@6A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 6A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 250A 標價：歡迎咨詢