KBU1010_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 10A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 300A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款采用KBU封裝的高性能整流橋器件，特別為1000V高電壓及大電流應用環境定制。具備卓越的耐壓性能，在高達1000V的反向電壓下仍能穩定、高效運作。其在10A的工作電流條件下，正向電壓降僅為1.05V，實現了超低功耗與高效的電力轉換。該器件具有強大的電流處理能力，最大連續輸出電流可高達10A，是高端電源系統、大功率電機驅動的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBU1010_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋 最小包裝：400盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 10A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 300A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數1：正向壓降(Vf): 1.05V@10A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 10A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 300A 標價：歡迎咨詢