KBU808_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 8A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 180A 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款采用KBU封裝的高性能整流橋，專為高電流、高穩(wěn)定性的應用場合打造。其擁有800V的額定反向電壓，確保在嚴苛電壓條件下仍能保持卓越性能。在8A的工作電流下，正向電壓降僅1.1V，顯著降低系統(tǒng)能耗并提高整體效能。此外，器件具備強大的連續(xù)輸出能力，最大電流可達8A，滿足大功率設備對高效整流的需求。適用于各類電源供應器、電機驅(qū)動等領域的電路設計，選擇本款整流橋?qū)⒂行嵘脑O備運行效率與穩(wěn)定性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBU808_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋 最小包裝：400盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 8A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 180A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 8A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 180A 標價：歡迎咨詢