KBU808_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 180A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 這款采用KBU封裝的高性能整流橋，專為高電流、高穩定性的應用場合打造。其擁有800V的額定反向電壓，確保在嚴苛電壓條件下仍能保持卓越性能。在8A的工作電流下，正向電壓降僅1.1V，顯著降低系統能耗并提高整體效能。此外，器件具備強大的連續輸出能力，最大電流可達8A，滿足大功率設備對高效整流的需求。適用于各類電源供應器、電機驅動等領域的電路設計，選擇本款整流橋將有效提升您的設備運行效率與穩定性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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KBU808_KBU_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋 最小包裝：400盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 180A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBU 類別：整流橋最小包裝：400盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@8A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數3：平均整流電流(Io): 8A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 180A 標價：歡迎咨詢