MB10F_MBF_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBF 類別：整流橋最小包裝：5000圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@500mA 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 1A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 本款高性能整流橋采用MBF封裝技術，專為高電壓、低損耗應用設計。作為一款1000V的高耐壓整流器件，在確保系統穩定運行的同時，展現了出色的電氣性能。在500mA工作電流下，其正向電壓降僅為1.1V，有效減少功耗并提升整體效率。該器件擁有強大的電流處理能力，最大連續輸出電流可達1A，適用于電源轉換器、逆變器及各類高壓直流電設備。選擇這款整流橋，將有力推動您的電路設計實現更高能效與可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MB10F_MBF_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBF 類別：整流橋 最小包裝：5000圓盤 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@500mA 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 1A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBF 類別：整流橋最小包裝：5000圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@500mA 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 1A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@1kV 標價：歡迎咨詢