MB6S_MBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBS 類別：整流橋最小包裝：3000圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1V@400mA 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 1A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@600V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

描述: 這款高品質整流橋采用先進的MBS封裝技術，專為高效能電子設備設計。其擁有卓越的電氣性能，額定反向電壓高達600V，確保在高電壓環境下穩定工作。在400mA的工作電流下，正向電壓降僅為1V，有效降低了功耗，提升系統效率。此外，該器件提供出色的電流承載能力，最大輸出電流可達1A，是各類電源轉換、逆變器等應用的理想選擇。通過選用此款整流橋，您的電路設計將實現更優的性能表現和能源利用率。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MB6S_MBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBS 類別：整流橋 最小包裝：3000圓盤 參數1：正向壓降(Vf): 1V@400mA 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 1A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@600V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBS 類別：整流橋最小包裝：3000圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1V@400mA 參數2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數3：平均整流電流(Io): 1A 參數4：反向電流(Ir): 5uA@600V 標價：歡迎咨詢