MB10S_MBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：MBS 類別：整流橋最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1V@0.4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 800mA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 此款MBS封裝整流橋器件，擁有1000V的高直流反向耐壓性能，能有效應(yīng)對(duì)高壓環(huán)境下的電路保護(hù)需求。其平均整流電流為0.8A，滿足中低功率設(shè)備的電流處理要求。在0.4A工作電流下，正向壓降僅為1V，確保了較低的能量損耗和更高的工作效率。同時(shí)，反向電流控制在5uA@1000V，顯示了卓越的絕緣特性，是各類需要穩(wěn)定、高效整流解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

MB10S_MBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：MBS 類別：整流橋 最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1V@0.4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 800mA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：MBS 類別：整流橋最小包裝：3000圓盤(pán) 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1V@0.4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 800mA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢