MB10S_MBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBS 類別：整流橋最小包裝：3000圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1V@0.4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 800mA 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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描述: 此款MBS封裝整流橋器件，擁有1000V的高直流反向耐壓性能，能有效應對高壓環境下的電路保護需求。其平均整流電流為0.8A，滿足中低功率設備的電流處理要求。在0.4A工作電流下，正向壓降僅為1V，確保了較低的能量損耗和更高的工作效率。同時，反向電流控制在5uA@1000V，顯示了卓越的絕緣特性，是各類需要穩定、高效整流解決方案的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MB10S_MBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBS 類別：整流橋 最小包裝：3000圓盤 參數1：正向壓降(Vf): 1V@0.4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 800mA 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBS 類別：整流橋最小包裝：3000圓盤參數1：正向壓降(Vf): 1V@0.4A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數3：平均整流電流(Io): 800mA 標價：歡迎咨詢