HC3M0075120D_TO-247-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/1200V 參數(shù)3：電流ID/32A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/90mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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描述: 這款工業(yè)級(jí)碳化硅N溝道MOSFET采用TO-247封裝，專為高電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定擊穿電壓1200V，連續(xù)電流可達(dá)32A，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)逆變系統(tǒng)，具備卓越的高溫穩(wěn)定性和低損耗特性，是嚴(yán)苛環(huán)境下高效能電力管理的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

HC3M0075120D_TO-247-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30管 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/1200V 參數(shù)3：電流ID/32A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/90mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/1200V 參數(shù)3：電流ID/32A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/90mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢