HC2M0080120K_TO-247-4L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/1200V 參數(shù)3：電流ID/36A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/80mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 該碳化硅工業(yè)級N溝道MOSFET采用TO-247-4L封裝，專為高電壓、大電流應(yīng)用打造。額定耐壓1200V，連續(xù)電流高達(dá)36A，適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變系統(tǒng)，具備卓越的高溫性能、低導(dǎo)通電阻及高效能優(yōu)勢，是現(xiàn)代能源管理系統(tǒng)的核心器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HC2M0080120K_TO-247-4L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30管 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/1200V 參數(shù)3：電流ID/36A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/80mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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