IRF630-HXY_TO-220H_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220H 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/200V 參數(shù)3：電流ID/9A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/260mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用TO-220封裝，專為處理200V高電壓下的中等電流應(yīng)用。額定連續(xù)電流9A，廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻和高效散熱設(shè)計(jì)，是現(xiàn)代電子設(shè)備理想的高耐壓功率開(kāi)關(guān)器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRF630-HXY_TO-220H_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220H 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/200V 參數(shù)3：電流ID/9A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/260mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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