DMN2040LTS_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/21.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN2040LTS 型MOS管，采用緊湊型TSSOP-8封裝，適合空間受限的設(shè)計需求。此款NN溝道MOSFET以其優(yōu)秀的電氣特性脫穎而出，擁有20V的最大耐壓值和6A的連續(xù)漏極電流，確保在多種應(yīng)用場景下穩(wěn)定運行。其亮點在于低至21mΩ的導(dǎo)通電阻，顯著減少功率損耗，提高能源利用率。廣泛適用于開關(guān)電源、LED照明驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是高效能電子設(shè)備的理想組件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2040LTS_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/21.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/21.0mR 標價：歡迎咨詢