SMC8205AGW_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/21.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SMC8205AGW 型號MOS管，選用節(jié)省空間的TSSOP-8封裝，專為現(xiàn)代精密電路設(shè)計打造。這款高性能NN溝道MOSFET具有穩(wěn)定的20V電壓額定值和強大的6A連續(xù)漏極電流承載能力，保證了卓越的電力控制表現(xiàn)。尤為突出的是，其導(dǎo)通電阻僅低至21mΩ，有助于大幅削減功耗并提升整體效能。適用于包括開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)在內(nèi)的多元化應(yīng)用場景，是追求高效節(jié)能方案的不二之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SMC8205AGW_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/21.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/6.0A 參數(shù)4：RDON/21.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢