AO8822_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.5A 參數(shù)4：RDON/11.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AO8822 是一款高性能NN溝道MOSFET，采用精巧的TSSOP-8封裝形式，適合現(xiàn)代緊湊型電路設(shè)計需求。其主要特性包括最大漏源電壓VDSS為20V，可承載穩(wěn)定的7.5A漏極電流ID，且具備優(yōu)秀的導(dǎo)通性能，導(dǎo)通電阻低至11.5mR，有效減少能量損失，提升整體系統(tǒng)效能。廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源、電機驅(qū)動控制、LED調(diào)光以及多種中低電壓、中等電流的電子設(shè)備中，以其高可靠性與低損耗著稱。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AO8822_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.5A 參數(shù)4：RDON/11.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.5A 參數(shù)4：RDON/11.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢