DMN2019UTS_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/7.5A 參數4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

DMN2019UTS 是一款高品質NN溝道MOSFET，采用節省空間的TSSOP-8封裝，專為現代電子設備的小型化設計。其核心技術參數包括最大漏源電壓VDSS為20V，能承載高達7.5A的連續漏極電流ID，且具有出色的導通性能，導通電阻低至11.5mR，確保在運行期間減小功耗，提升整體能效。廣泛應用在電源轉換、電機驅動、負載開關以及各類中低電壓、中等電流的電路設計中，表現出色。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2019UTS_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N+N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/7.5A 參數4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/7.5A 參數4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢