DMN2016UTS_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.5A 參數(shù)4：RDON/11.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN2016UTS 是一款高速、低阻抗的NN溝道MOSFET，采用節(jié)省空間的TSSOP-8封裝，適合現(xiàn)代緊湊型電子設(shè)計。工作電壓高達(dá)20V，能提供高達(dá)7.5A的連續(xù)電流，尤其適用于電源開關(guān)、負(fù)載驅(qū)動等場合。其卓越的導(dǎo)通電阻僅為11.5mΩ，極大地提升了系統(tǒng)效率并降低了功耗。選擇DMN2016UTS MOS管，助您實現(xiàn)高性能、節(jié)能的電路設(shè)計。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2016UTS_TSSOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N+N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.5A 參數(shù)4：RDON/11.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N+N溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/7.5A 參數(shù)4：RDON/11.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢