STN2610D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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STN2610D 是一款高品質N溝道MOSFET，封裝形式為TO-252-2L，適合于各種空間緊湊的設計需求。該器件具有出色的電氣性能，最大漏源電壓VDSS達60V，連續漏極電流ID高達50A，展現出強大的電力處理能力。尤其突出的是其低至11mR的導通電阻RD(on)，有助于減少功率損耗并優化能源效率，廣泛適用于開關電源轉換、電機驅動、LED照明等領域，是您高效能電子設計的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STN2610D_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢