IRFR2405PBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFR2405PBF 是一款高性能N溝道MOSFET，封裝形式為節(jié)省空間且熱性能優(yōu)良的TO-252-2L。該器件具備強(qiáng)大功能最大漏源耐壓VDSS高達(dá)60V，可提供穩(wěn)定的50A連續(xù)漏極電流，以滿足嚴(yán)苛的電力應(yīng)用需求。尤為突出的是其超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為11mR，有效減少能量損失，提高整體系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電動機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是工程師追求高效能、低功耗設(shè)計(jì)的理想組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFR2405PBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢