FDD8896_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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FDD8896 是一款高性能N溝道MOS管，采用經典的TO-252-2L封裝形式，結構緊湊且易于安裝。該器件擁有30V的最大漏源電壓VDSS，以及高達80A的連續漏極電流ID，展現了其在高電流環境下的出色承載能力。其顯著特點是擁有極低的導通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，確保在大電流切換時降低損耗，提升整體能效。FDD8896 MOS管適用于電源轉換、電機驅動等高功率應用場合，以卓越性能滿足各種電子產品的設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD8896_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢