FDD6670A_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

FDD6670A 是一款N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，適用于各類大電流、高效率應用。該器件具有30V的漏源電壓VDSS，可承載高達80A的連續漏極電流ID，確保在高功率系統中穩定工作。其獨特優勢在于極低的導通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，有效減少功率損失，提升系統效能。是電源轉換、電機驅動等高功率場景的理想選擇，以卓越性能賦能現代電子設備的高效設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD6670A_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢