NTD4860N_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTD4860N 是一款高性能N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝形式，專為應(yīng)對(duì)高功率、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件提供30V的最大漏源電壓VDSS，并能承載高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流ID，確保在嚴(yán)苛工作條件下也能維持穩(wěn)定性能。其特色在于超低的導(dǎo)通電阻RD(on)，僅為5.5mΩ，從而顯著降低系統(tǒng)損耗，提升整體效率。非常適合應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，以卓越的電氣性能滿足客戶對(duì)高效率、大電流半導(dǎo)體元件的需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

NTD4860N_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢