NTD20N03L27_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTD20N03L27 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率應(yīng)用設(shè)計。該器件具有30V的VDSS電壓耐受能力，能夠承載高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流ID，展現(xiàn)出卓越的電流處理性能。其亮點在于僅15mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，顯著提升能源效率并減少系統(tǒng)發(fā)熱。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換器、大電流開關(guān)電路、電機驅(qū)動等領(lǐng)域，是追求高效率、大電流應(yīng)用的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTD20N03L27_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢