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AOD484_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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AOD484 是一款N溝道MOSFET，采用標準TO-252-2L封裝，專為大電流應用設計。本器件耐受最高30V的漏源電壓(VDSS)，并能承載高達20A的連續(xù)漏極電流(ID)，體現(xiàn)出卓越的電流處理性能。其特點在于僅有的15mΩ超低導通電阻(RD(on))，確保在高功率運作下仍能保持高能效與低熱損。廣泛應用在電源轉換、大電流開關電路、電機驅動等方面，是高端電子設備的理想半導體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AOD484_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢