FDD6630A_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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FDD6630A 是一款N溝道MOSFET，選用TO-252-2L封裝形式，專為高功率、大電流應用設計。該器件支持高達30V的漏源極電壓(VDSS)，并能穩定承載20A的連續漏極電流，體現了出色的電流處理能力。其關鍵特性在于僅有15mΩ的低導通電阻(RD(on))，有效提升系統工作效率，減少功率損耗。廣泛運用于電源轉換、馬達驅動、大電流開關電路等領域，是追求高效、耐用性能的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD6630A_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢