AOD444_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AOD444 是一款高品質(zhì)N溝道MOSFET，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，易于集成到各類電路設(shè)計(jì)中。器件核心參數(shù)包括最大漏源電壓(VDSS)高達(dá)60V，能夠承受并傳輸20A的連續(xù)漏極電流(ID)，同時(shí)，其低至27mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))保證了高效能和低損耗。這款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明調(diào)光等應(yīng)用，是您提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AOD444_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢