AUIRFR024NTRL_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

AUIRFR024NTRL N溝道MOS管采用行業(yè)主流TO-252-2L封裝，具備出色的散熱性能和布局靈活性。其核心優(yōu)勢(shì)在于支持60V的最大漏源電壓(VDSS)及高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流(ID)，專(zhuān)為高功率應(yīng)用打造。導(dǎo)通電阻低至27mΩ，確保在大電流操作下仍能維持高效能和低損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，是兼具高性能與可靠性的理想半導(dǎo)體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

AUIRFR024NTRL_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)