STN442D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

STN442D 型號N溝道MOS管采用標準TO-252-2L封裝，體積小巧，散熱優(yōu)良，適用于各類空間有限的設(shè)計方案。該器件具有60V的額定電壓VDSS，最大連續(xù)電流ID高達30A，顯示其出色的電力傳輸能力。更值得稱贊的是其22mR的低導(dǎo)通電阻，大大提升了能源效率和系統(tǒng)響應(yīng)速度。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、馬達驅(qū)動、負載開關(guān)等領(lǐng)域，所有產(chǎn)品出廠前均經(jīng)過嚴格的質(zhì)量把關(guān)，確保提供持久穩(wěn)定的高性能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STN442D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢