IRFR1205PBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFR1205PBF N溝道MOS管，采用業(yè)界主流TO-252-2L封裝形式，擁有良好的散熱性能和緊湊體積，適配多種電路設(shè)計需求。該器件具有60V的額定電壓VDSS和高達(dá)30A的連續(xù)電流ID處理能力，確保在高功率環(huán)境下穩(wěn)定工作。其22mR的低導(dǎo)通電阻使得能源轉(zhuǎn)換效率更高，系統(tǒng)損耗更低。廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載切換等場景，出廠前經(jīng)過嚴(yán)格質(zhì)量檢驗，保證每一片MOS管的高性能與可靠性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFR1205PBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/22.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢