IRFR3910PBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/80.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFR3910PBF 型號(hào)N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，具有優(yōu)異的散熱性能和廣泛的兼容性。該器件額定電壓VDSS高達(dá)100V，可承載20A連續(xù)電流ID，適用于高電壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景。盡管其導(dǎo)通電阻為80mR，但在同類產(chǎn)品中仍具有競(jìng)爭(zhēng)力，能夠幫助提高系統(tǒng)效率，降低功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)等領(lǐng)域，出廠前經(jīng)過(guò)多重質(zhì)量檢測(cè)，確保產(chǎn)品在各種條件下都能穩(wěn)定可靠工作。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRFR3910PBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/80.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/80.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢