IPD088N06N3G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPD088N06N3G 是一款高品質N溝道MOSFET，封裝形式為TO-252-2L，專為高效率、大電流應用設計。該器件具有卓越的電氣性能，最大耐壓值高達60V(VDSS)，可承載連續漏極電流高達80A(ID)，且在常態下展現出超低的導通電阻6.5mΩ(RD(on))，有效降低功率損耗，提高系統運行效率。這款MOS管憑借出色的穩定性和耐用性，廣泛應用于電源轉換、電機驅動等場合，是您構建高性能電子系統的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢