IRLR3636PBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRLR3636PBF 是一款高端N溝道MOSFET，采用行業(yè)標準的TO-252-2L封裝，旨在滿足現(xiàn)代高效能電子設備的需求。該器件工作電壓高達60V(VDSS)，可承載持續(xù)的漏極電流達80A(ID)，且在導通狀態(tài)下展現(xiàn)卓越的低電阻特性，僅6.5mΩ(RD(on))，有效降低了功率損耗，提升了系統(tǒng)效能。憑借其強大穩(wěn)定性和廣泛的適用范圍，IRLR3636PBF 非常適合應用于開關電源、馬達驅(qū)動、電池保護等領域，是打造高性能、低能耗電子系統(tǒng)的優(yōu)選組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRLR3636PBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢