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              DMTH6009LK3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/60.0V 參數3:ID/80.0A 參數4:RDON/6.5mR 標價:歡迎咨詢

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              DMTH6009LK3 是一款專業級N溝道MOSFET,采用小巧高效的TO-252-2L封裝形式,專為高功率密度應用設計。器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS),并能在嚴苛條件下穩定輸出80A的連續漏極電流(ID),更值得一提的是其卓越的導通性能,導通電阻僅為6.5mΩ(RD(on)),助力降低功耗、提升系統運行效率。該MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域,是您的高性能電力解決方案的理想選擇。

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