SUD50N06-09L-E3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SUD50N06-09L-E3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用流行的TO-252-2L封裝，專為高效率、大電流應用場景設計。該器件工作電壓高達60V(VDSS)，具備強大的電流處理能力，可承載連續(xù)漏極電流80A(ID)，并且在導通狀態(tài)下的電阻僅為6.5mΩ(RD(on))，極大程度地減少了功率損耗，提升了整體能源轉(zhuǎn)換效率。SUD50N06-09L-E3 適用于開關電源、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等眾多領域，是構建節(jié)能高效電子系統(tǒng)的優(yōu)質(zhì)半導體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SUD50N06-09L-E3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢