NTD5C668NL_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

NTD5C668NL 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經典封裝TO-252-2L，專為高效率功率轉換和電流控制應用設計。器件具備卓越的電氣參數，包括60V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載80A的連續漏極電流(ID)，尤其亮點在于其低至6.5mΩ的導通電阻(RD(on))，有效降低功率損耗并提升整體系統效能。此MOS管廣泛應用于開關電源、電機驅動、電池管理系統等領域，是搭建節能高效電子系統的理想元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTD5C668NL_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢